【48812】英特尔称Intel 3工艺已进入大规模出产：面向数据中心产品的制程节点

  在2021年7月的“英特尔加快立异：制程工艺和封装技能线上发布会”上，英特尔CEO帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）发布了“四年五个制程节点”的工艺道路年甚至更远的新产品研讨开发。其间第三个制程节点就是Intel 3，凭仗FinFET的逐渐优化和在更多工序中增加对EUV运用，比较Intel 4在每瓦功用上完成约18%的提高，密度上也有10%的改善。

  据TomsHardware报导，英特尔已承认，Intel 3工艺已经在两个工厂进入大批量出产阶段，包含美国俄勒冈州和爱尔兰的工厂，制作最近推出的至强6系列“Sierra Forest”和“Granite Rapids”处理器，首要面向数据中心产品。

  英特尔还供给了Intel 3工艺的一些新细节，这是其最终一代选用FinFET晶体管技能的半导体工艺，带来了更强的功用和更高的晶体管密度，并支撑1.2V的超高功用使用电压。不光针对英特尔自己的产品，也针对代工客户，未来几年会不断发展。

  除了根底版别外，英特尔还供给了Intel-3T、Intel-3E和Intel-3PT三个变体。其间Intel 3T经过TSV支撑，可以用作根底芯片；Intel 3-E将为芯片组和存储使用供给功用增强；Intel 3-PT逐渐提高了功用，并支撑9μm距离TSV和混合键合，可以说是“终极FinFET工艺”。Intel 3还进入了210nm的高密度（HD）库，比起240nm高功用（HP）库的Intel 4工艺在晶体管功用上供给了更多挑选。

  此外，英特尔客户能在三种金属仓库之间做出合理的挑选：14层着重于本钱；18层是功用和本钱之间的最佳平衡；21层适用于高功用。